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2024-07-09 18:56:52

【专利】详解华大九天ASM模型直流参数提取方案;OPPO诉诺基亚标准必要专利使用费纠纷案迎来新进展;中国科大在集成光子芯片上完美电竞实现人工合成非线性效应

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  1.【专利解密】可降低参数提取次数!详解华大九天ASM模型直流参数提取方案

  2.10月27日开庭 OPPO诉诺基亚标准必要专利使用费纠纷案迎来新进展

  4.中国科大在集成光子芯片上实现人工合成非线.【专利解密】可降低参数提取次数!详解华大九天ASM模型直流参数提取方案

  【爱集微点评】华大九天披露的GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方案,该方案中的ASM模型能够降低参数提取次数,以及提高模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。

  氮化镓高级SPICE模型(GaN ASM)被认为是功率GaN和射频GaN的工业紧凑标准模型,目前主要应用于工业界。

  GaN ASM模型除了讨论大信号建模外,对GaN HEMT的场板电容、陷阱效应、Kink效应以及噪声等特性均实现了精准建模。该模型通常使用的直流参数提取方法中,将“漏极电流-漏电压”(A)曲线和“漏极电流_栅电压”(B)曲线区分开进行参数提取。实际很多参数对(A)曲线和(B)曲线都有影响,有时会在调整(A)曲线时将之前已经调整好的(B)曲线打乱,从而只能重新对(B)曲线进行调整,因此需要多次重复提取,增加了参数提取的复杂性,降低了参数提取效率。

  另外,在使用优化器进行自动化参数提取过程中,大多数情况下都是通过计算均方根误差率来判断参数改变趋势和区间,在将所有的(A)测量曲线和(B)测量曲线用来自动优化进行参数提取时。该方式在小电压下的小电流曲线对自动优化过程中的误差率计算影响较大,进而对参数变化趋势和区间选择会有影响,降低了直流参数提取的准确性。

  为了提高直流参数提取的准确性,华大九天在2022年1月28日申请了一项名为“一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法”的发明专利(申请号:3.7),申请人为北京华大九天科技股份有限公司。

  如上图,为该方案中披露的GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法流程图。首先,给定器件的工艺参数。工艺参数包括:器件长度(L)、器件宽度(W)、器件栅指数(NF)、器件栅源长度(LSG)以及器件漏源长度(LDG)等尺寸参数,这些参数一般由器件设计人员给出。

  最后,提取电流和电压曲线(IV)的相关参数,包括以下步骤:首先,在漏极电流和栅电压(id_vg)曲线的低电流区域提取线性条件下的截止电压(voff)和亚阈值摆幅参数。并从该曲线中提取漏致势垒降低效应(DIBL)和亚阈值区域退化的相关参数。

  其次,在(id_vg)曲线高电流区域提取迁移率和垂直场强依赖性相关的参数,同时,提取速度饱和输出电导的相关参数。

  该计算中主要涉及漏极电路的一阶求导操作,可以得到包括漏接入区单位面积二维电子气密度、电阻、迁移率温度相关参数、接入区二维电子气密度温度相关参数、饱和速度、接入区饱和速度值以及速度饱和等参数,并最终得到源漏接触区迁移率。

  而为了方便对比,在该方案中还展示了现有技术中GaN ASM模型直流参数提取流程图,如上图所示。对比之下,该方案中提出的参数确定方案具有以下两个优势:

  2)该方案首先选取部分对参数影响较大的曲线进行参数提取,大致确定参数优化区间。在这一过程中首先去除自热效应的影响,将其他参数的影响放大,有利于参数的准确性,再考虑自热效应和整体参数的影响。在整体参数区间范围大致确定后,再将所有(id_vd)测量曲线和(id_vg)测量曲线用来进行直流参数提取。

  以上就是华大九天披露的GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方案,该方案中的ASM模型能够降低参数提取次数,以及提高模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。

  “爱集微知识产权”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成,熟悉中欧美知识产权法律理论和实务。依托爱集微在ICT领域的长期积累,围绕半导体及其智能应用领域,在高价值专利培育、投融资知识产权尽职调查、上市知识产权辅导、竞争对手情报策略、专利风险预警和防控、专利价值评估和资产盘点、贯标和专利大赛辅导等业务上具有突出实力。在全球知识产权申请、挖掘布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设等方面拥有丰富的经验。我们的愿景是成为“ICT领域卓越的知识产权战略合作伙伴”。(校对/赵月)

  2.10月27日开庭 OPPO诉诺基亚标准必要专利使用费纠纷案迎来新进展

  重庆法院公众服务网网站信息显示,重庆市第一中级人民法院定于2022年10月27日14:30到18:00开庭审理OPPO诉诺基亚标准必要专利使用费纠纷案。

  据悉,OPPO和诺基亚围绕标准必要专利使用费问题已在多国展开诉讼。2021年7月初,诺基亚同时在印度、法国、德国、英国等全球9个国家对OPPO提出几十起专利侵权诉讼。OPPO随即于2021年9月初,在中国和欧洲对诺基亚发起多件专利侵权诉讼,使用5G基站专利对诺基亚进行反制。近期,经德国曼海姆地区法院证实,诺基亚撤回了一件针对OPPO的专利侵权诉讼,此前法院已告知当事人其初步意见,即OPPO并未侵犯涉案专利的专利权。同时,OPPO在美国无效诺基亚专利的程序被立案,完美电竞在欧洲异议诺基亚专利也取得初步成效。(校对/王云朗)

  科技日报22日报道,由芬兰阿尔托大学研究人员领导的一个国际研究团队开发出高波长精度、高光谱分辨率和宽工作带宽的高灵敏度光谱仪,该光谱仪可安装在微芯片上,并使用人工智能进行操作。发表在最新一期《科学》杂志上的该成果,将对各种技术和应用大有裨益,包括质量检测平台、安全传感器、生物医学分析仪、医疗保健系统、环境监测工具和空间望远镜。

  此次,利用二维半导体超薄材料,研究人员开发出集成芯片上的光谱仪,这种单探测器光谱仪是一种一体化设备,如同一个带有人工智能的光电“芯片实验室”。研究员佩尔蒂·哈科宁教授认为,随着分辨率和效率的进一步提高,这些光谱仪还可为量子信息处理提供新的工具。(校对/韩秀荣)

  合肥科技消息显示,中国科学技术大学郭光灿院士团队在集成光子芯片量子器件的研究中取得重要进展。该团队邹长铃、李明研究组提出人工合成光学非线性过程的通用方法,在集成芯片微腔中实验观测到高效率的合成高阶非线性过程,并展示了其在跨波段量子纠缠光源中的应用潜力。相关成果于10月20日在线发表于国际学术期刊《自然·通讯》上。

  中国科学院量子信息重点实验室博士研究生王家齐、杨元昊为论文的共同第一作者,李明副研究员、邹长铃教授为论文通讯作者。本研究得到国家科技部重点研发计划、国家自然科学基金、安徽省自然科学基金以及中央高校基本科研业务费的支持。(校对/项睿)

  【专利】兆易创新“一种稳压电路”专利获授权;鑫华半导体“衬底及其制备方法”专利获授权;士兰微“MEMS麦克风”专利获授权

  【进展】北大在计算全息三维信息传输研究中取得重要进展;北方华创“一种射频电源”专利获授权;TCL科技荧光材料专利获授权

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